英特尔正考虑在1.4纳米工艺采用双面供电架构，以追赶台积电和三星

BlockBeats 消息，7 月 5 日，英特尔正考虑在 1.4 纳米级超微细工艺中采用同时利用前面和背面供电的架构，以追赶竞争对手。业内消息称，英特尔原计划在 1.4 纳米级基础工艺 14A 中采用背面供电专用技术 PowerDirect，但在后续工艺 14A2 中，正考虑引入同时使用前面和背面的 Dual side 架构。

英特尔此前公布计划称，将在 14A 工艺上较 18A 提升 1.3 倍芯片密度；14A 工艺目标 M0 间距约为 28 纳米，而 14A2 工艺可能通过半节点式改进，将 M0 间距推进至 21 纳米。英特尔将在维持背面供电网络为主的同时，将部分前面金属布线重新分配为辅助电源及 Clock 信号用途，以弥补微缩和曝光限制带来的电力裕量不足。

英特尔 14A 工艺计划于 2028 年进入风险生产，并于 2029 年进入量产。英特尔需在今年 10 月向外部客户发布 14A 工艺 0.9 版本工艺设计套件，并在此后 18 个月内获得大型无晶圆厂客户确定订单。相比之下，台积电已计划在 2028 年出货真正 1.4 纳米 A14 成品，三星电子也计划于 2027 年商用采用背面供电技术的 2 纳米改良工艺 SF2Z。