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SemiAnalysis分析师:长鑫存储HBM技术落后于头部公司3、4年

BlockBeats 消息,7 月 14 日,SemiAnalysis 分析师 Ray Wang 昨日接受 CNBC 采访时表示,2026 年 HBM 的需求非常强劲,以至于三星和 SK 海力士不断将晶圆产能转向 HBM,而减少对普通 DRAM 的投入,即使目前普通 DRAM 的价格利润更高。


Ray Wang 认为,在 HBM 市场供不应求的情况下,两家韩国制造商都将全部 HBM 产量转化为利润,因此三星获得 HBM 市场份额并不一定意味着 SK 海力士的利益受损。限制因素是晶圆产量,而非市场需求。


谈到即将上市的长鑫存储(CXMT),Ray Wang 称该公司已经占据了大约 10% 的 DRAM 市场份额(bits 计算),这在快速增长的市场中是稳固的,但该公司在工艺技术方面落后了大约三年,在 HBM 方面落后了三到四年。


Ray Wang 认为大部分新增供应将在 2027 年下半年到来,2028 年也会有更多供应,但他仍然认为 2028 年供应不足,仅比 2027 年略微缓解。

AI 解读
长鑫存储在DRAM市场已占据约10%的份额,但SemiAnalysis分析师指出其在HBM技术上落后头部公司三到四年。这揭示了当前AI算力竞赛中一个关键断层:尽管长鑫凭借传统DRAM的规模与盈利能力正冲击IPO,并被视为改变全球存储格局的变量,但在决定未来权力的HBM赛道上,其技术代差依然显著。

HBM的供需紧张已重塑了韩国双雄的产业重心与资本市场格局,三星与SK海力士正将晶圆产能全力转向HBM。分析师判断大部分新增供应要到2027年下半年才会到来,且2028年仍将供应不足。这意味着,即便长鑫成功上市并获得巨额资本,其技术追赶窗口仍紧密关联于这轮可能持续数年的“超级周期”。长鑫的崛起叙事与HBM的实质滞后并存,构成了本轮存储浪潮中最值得关注的张力。
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