三星混合键合技术预计将用于英伟达下一代AI加速器Feynman，芯片将采用定制HBM

BlockBeats 消息，7 月 21 日，三星电子已在平泽 P5 工厂开始建设 Die-to-Wafer（晶粒到晶圆）混合键合量产线，目标直指下一代 HBM 与逻辑半导体的先进封装。核心设备供应商首选荷兰 Besi，三星计划采购约 50 台混合键合机，单台约 60 亿韩元（约 430 万美元），价格是竞品两倍。但因三星要求设备架构定制修改谈判进展较慢，且 Besi 同时供应台积电与美光，对单独为三星改机态度谨慎。

三星同步考虑本土替代方案：子公司 SEMES 已完成 D2W 混合键合机开发并于今年早些时候送样验证；韩华 Semitech 于 2 月完成第二代「SHB2 Nano」开发，4 月已向 SK 海力士送样，其集成 EFEM、等离子激活与清洗模块的集群系统形成差异化竞争力。

该技术采用混合铜键合替代传统热压键合，可直接键合铜与介质材料，大幅缩短互连长度，核心应用场景为定制 HBM——将 HBM DRAM 层直接垂直堆叠在含客户计算电路和 IP 的逻辑 die 上形成 3D 系统级封装。

Citrini 分析师 Jukan 表示，混合键合预计将用于英伟达下一代 AI 加速器 Feynman，该芯片将采用定制 HBM，而技术落地时间「已从 HBM4E 向后推迟」。三星内部预计 2029 至 2030 年左右方能实现规模化应用，时间点与英伟达 Feynman 预期窗口重合。