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DRAM走弱,内存链延续调整,盘中反弹后再度承压

BlockBeats 消息,7 月 6 日,据 BIT(bit.com)行情数据,芯片存储 ETF DRAM 今日冲高回落后再度走弱,当前价格约 64.5 附近,日内跌幅 1.3%,整体呈现高位震荡下行结构,反弹动能明显不足,成交量在下跌阶段阶段性放大,显示抛压仍在释放。

AI 解读
内存ETF DRAM延续了6月下旬以来的高位震荡下行趋势,其作为美股市场主要“内存+HBM+AI存储”主题投资工具的地位正面临结构性挑战。SK海力士ADR即将于7月上市,为投资者提供了直接投资核心持仓股的替代选项,可能分流DRAM ETF的资金。同时,7月1日新上市的KMEM ETF以更集中的头部企业配置(海力士权重超40%),提供了另一种行业敞口,加剧了主题ETF间的竞争。

当前价格在64.5附近徘徊,成交量在下跌阶段放大,显示抛压持续。值得关注的是,DRAM ETF在6月底刚刚将中国DRAM厂商长鑫存储的关联实体兆易创新纳入持仓,权重2.91%,这一旨在拓宽标的、增强吸引力的动作,并未能扭转其疲态,反而凸显在核心标的面临分流时,管理人的被动调整可能难以对冲资金流出压力。
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