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马斯克评存储芯片股遭抛售:中国掌握制造技术后,扩产能力往往超过世界其他地区总和

BlockBeats 消息,10 月 13 日,针对存储芯片股遭抛售,马斯克发文表示,中国一旦掌握某种产品的制造技术,其扩大生产规模的能力往往超过世界其他地区的总和,锂电池和太阳能领域已出现过这种情况。


他表示,内存行业或许有所不同,但大约三年前,内存仍是低利润率的大宗商品。LP5 和 LP6 遵循通用标准,中国似乎正在迅速攻克相关技术。不过,新一代 HBM 架构,以及在逻辑电路下方设置 SRAM 层、在上方三维堆叠内存并同时解决逻辑电路散热等技术,将更难攻克。


马斯克同时称,SpaceX 是罕见的反例,其送入轨道的载荷总质量比世界其他地区总和高出约一个数量级。但在 SpaceX 以外的入轨载荷总质量中,中国已占据大多数。


此前报道,长鑫科技宣布在新一代 DRAM 的 4F² 架构研发上取得关键进展,预计年底推出融合该架构、混合键合等技术的 DDR5 RDIMM 服务器内存产品。相较主流 6F² 架构,4F² 理论上可使单元面积缩减约三分之一,在相同晶圆面积和制程节点下提升约 50% 的存储密度,令市场对未来竞争及供应扩张的担忧升温。

AI 解读
马斯克将存储股抛售归因于中国扩产:掌握制造技术后,产能扩张常超世界其他地区总和,锂电池、太阳能已有前例。但他把内存切成两层:LP5/LP6通用标准正被中国迅速攻克,HBM新架构、逻辑下SRAM与三维堆叠散热更难。长鑫科技4F² DDR5 RDIMM预计年底推出,较6F²单元面积缩减约三分之一、同节点密度提升约50%,首先冲击通用服务器DRAM,而非HBM。高盛预计长鑫月产能四年翻倍、2028年覆盖中国约50% DRAM需求;美光、SK海力士仍靠AI短缺和长协撑估值。抛售更像资本提前给中国标准化产能扩张重定价,HBM仍是利润壁垒。
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